【新闻】IBM开发出在硅芯片上形成微细延迟线南宫
发布时间:2020-10-18 19:13:31
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来源:起重钳厂家
IBM开发出了在硅芯片上形成微细延迟线(Delay Line)的技术。2007年1月创刊的英国硅光子光杂志《自然光子学》(Nature Photonics)创刊号(2006年12月21日号)上刊登了有关论文。该技术设想利用光信号在高速计算机中进行芯片间传输,使用它能够实现芯片间光传输所需的光信号缓冲。 IBM开发的延迟线是指利用硅芯片上的导光线路形成曲率半径最小为6.5μm的微环,然后将最多100个这样的环串联起来组成的元件。导光线路则是在200mm SOI晶圆上形成厚2μm的SiO2层,再在SiO2层上形成硅图案而制成的。硅图案以“双通道”为1组,截面尺寸为510×226nm。 这种延迟线通过延缓光的到达时间,实现和缓冲相同的效果。这种延迟线过去就有,但此次的延迟线特点是尺寸非常小。从延迟线的传播损耗来说,通过波长1.55μm的红外线时只有1.7±0.1dB/cm。如果是芯片面积为0.09μm2的元件,可得到500ps以上的延迟。 信息缓冲的记录密度比过去高,“在0.03mm2的面积上可达10位,相当于老式软驱1成的记录密度。在1个芯片上可集成数十万个这样的元件,此技术是实现芯片间光传输的重要一步”。
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